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Silanna Semiconductor与Transphorm联合开发一流的65W USB-C PD GaN适配器参考设计

作者: CN-INFO   责任编辑:文传商讯 2021-05-20 09:09:00
来源:文传商讯关键字:null

Transphorm基于GaN的解决方案提供突破性的30W/in3功率密度和94.5%的效率

加州戈利塔--(美国商业资讯)--高可靠性、高性能氮化镓(GaN)功率转换产品的先驱和全球供应商Transphorm, Inc. (OTCQB: TGAN)和功率密度领导者Silanna Semiconductor今天宣布推出一项世界一流的GaN电源适配器参考设计。该解决方案是一款采用开放式架构的65W USB-C Power Delivery (PD)充电器,结合了Transphorm的SuperGaN®第四代平台(Gen IV)与Silanna Semiconductor专有的有源钳位反激式(ACF) PWM控制器。这两项技术的结合产生了前所未有的94.5%的峰值效率和30W/in3的无封装功率密度。这些性能水平超过了目前使用硅超结MOSFET或e-mode GaN晶体管的同类解决方案,而且还利用了Transphorm更小的GaN FET。Silanna Semiconductor和Transphorm的通用GaN适配器设计是为笔记本电脑、平板电脑、智能手机和其他物联网设备供电的理想选择。

此新闻稿包含多媒体内容。完整新闻稿可在以下网址查阅:https://www.businesswire.com/news/home/20210517005320/en/

一流技术实现一流性能

新的参考设计以Transphorm和Silanna Semiconductor的先进技术为依托。SuperGaN FET是Transphorm的TP65H300G4LSG,这是一种采用工业标准PQFN88封装的650 V 240 mΩ器件。它利用SuperGaN第四代平台,该平台使用先进的外延片(EPI)和专利设计技术来提高性能。坚固的GaN FET还具有Transphorm器件的高可靠性,包括业界顶级的栅极坚固性。而且,不同于增强型(e-mode)器件,GaN FET不需要额外的偏置轨或电平转换器等保护性外部电路——这一优势可以提高效率。这些特性和其他功能进一步提高了适配器系统的整体功率密度,并降低材料清单(BoM)成本。

Silanna Semiconductor的SZ1130是世界上第一款完全集成的ACF PWM控制器,将自适应数字PWM控制器、有源钳位FET、有源钳位栅极驱动器和UHV启动稳压器集于一体。作为ACF解决方案,它提供比竞争对手的准谐振(QR)控制器更高的性能,并且在市场上所有ACF控制器中以极小的PCB面积提供极简单的设计。Silanna Semiconductor的技术不可知性设计专注于最终的电源管理挑战,具有一流的功率密度和效率,以前所未有的BoM成本节省令客户满意。

Transphorm现场应用与技术销售副总裁Tushar Dhayagude表示:“通过将我们的SuperGaN®器件与Silanna Semiconductor新颖和高度集成的有源钳位反激式控制器相搭配,Transphorm和Silanna Semiconductor可以为USB-C PD适配器客户提供基于GaN的全面参考解决方案所具有的顶级性能。众所周知,我们的GaN FET可以提高效率,降低功耗,减小AC/DC充电器尺寸,特别是与同类增强型GaN和集成式GaN IC解决方案相比,具有明显优势。双方的合作可谓两家创新企业的强强结合,将对GaN在全球电源适配器中的应用产生积极的影响。”

Silanna Semiconductor营销总监Ahsan Zaman表示:“我们的ACF控制器用途广泛,为充电器制造商提供设计灵活性,使他们可以选择自己喜欢的FET技术。结合我们的SZ1130和Transphorm的TP65H300G4LSG,ACF控制器可带来94.5%的效率,达到业界领先的性能。Silanna Semiconductor能够将自身的知识和专长与技术生态系统合作伙伴相结合,进一步推进获取一流的效率和功率密度成果,提供一些世界上极具创新性的产品,这让我们倍感振奋。”

供货情况

可通过以下两家制造商获取65W USB-C PD GaN电源适配器参考设计的原理图、设计文件和材料清单。

  • Silanna Semiconductor:RD-19 (联系邮箱:sales@silanna.com
  • Transphorm:TDADP-SIL-USBC-65W-RD (在此下载文件)

 

关于Silanna Semiconductor

功率密度的领导者。应对电源管理的终极挑战,实现一流的功率密度和效率性能,以前所未有的BoM使客户满意。Silanna Semiconductor的AC/DC和DC/DC电源转换器IC正在利用最新的数字和模拟控制和设备技术推动旅行适配器、笔记本电脑适配器、设备电源、智能仪表、计算、照明、工业电源和显示电源的关键创新。除了我们的全球工程销售团队外,区域设计中心和在线工具也为客户提供支持。“Power Density Hero”是一款在线设计工具,客户可以在该工具中输入自己的功率需求,并立即收到完整的设计、原理图和 “材料清单”(BOM)。亚洲卓越中心(ACE)拥有一支专门的电源系统工程师团队,以支持我们的客户的具体应用设计需求。Silanna Semiconductor总部位于加州圣地亚哥,是一家私营半导体公司,在北美、欧洲、亚洲和澳大利亚设有设计中心和办事处,为全球客户提供服务支持。

关于Transphorm, Inc.

Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者,致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一,持有或取得授权的专利超过1,000多项,在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压GaN半导体器件。得益于垂直整合的业务模式,公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新:设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新正在使电力电子设备突破硅的局限性,以使效率超过99%、将功率密度提高40%以及将系统成本降低20%。Transphorm的总部位于加州戈利塔,并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。如需了解更多信息,请访问www.transphormusa.com。在Twitter @transphormusa和微信(ID:TransphormGaN)上关注我们。

SuperGaN商标是Transphorm, Inc.的注册商标。所有其他商标均为其各自所有者的财产。

原文版本可在businesswire.com上查阅:https://www.businesswire.com/news/home/20210517005320/en/

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

联系方式:

媒体联系人(Transphorm):
Heather Ailara
211 Communications
+1.973.567.6040
heather@211comms.com

媒体联系人(Silanna Semiconductor
Lexi Hatzi
Publitek
lexi.hatzi@publitek.com

投资者联系人(Transphorm):
Shelton Group
Brett Perry | Leanne Sievers
1-214-272-0070 | 1-949-224-3874
sheltonir@sheltongroup.com

Silanna Semiconductor和Transphorm的新型65W USB-C PD GaN适配器参考设计为各种电子设备提供突破性的功率密度和效率。(照片:美国商业资讯)

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