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Unisantis推出替代DRAM的动态闪存

作者: CN-INFO   责任编辑:文传商讯 2021-05-25 14:40:00
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在更高密度、速度和成本节约方面具有优势

新加坡--(美国商业资讯)--Unisantis® Electronics Singapore Pte. Ltd.今天公布了公司在动态闪存(DFM)®技术方面的进展,这是该行业为未来的低成本、高密度嵌入式或独立式存储器应用寻找DRAM替代品的一次飞跃。与DRAM或其他类型的易失性存储器相比,DFM能够提供更快的速度和更高的密度。

5月18日,在第13届电气与电子工程师协会(IEEE)国际存储器研讨会(IMW)上,Unisantis的Koji Sakui博士和Nozomu Harada博士在一篇题为《带有双栅极环绕栅极晶体管(SGT)的动态闪存》(Dynamic Flash Memory with Dual Gate Surrounding Gate Transistor (SGT))的论文中首次介绍了由他们发明的DFM。

DRAM是一种易失性、基于电容器、破坏性读取的存储器,如何在不增加功耗的情况下,继续以更低的成本增加更多的存储量,是其长期以来面临的挑战。DFM采用一种革命性的方法来克服传统易失性存储器(如DRAM)的局限性,这类传统存储器天生具有短暂、规律且耗电的刷新周期以及破坏性的读取过程。

DFM也属于易失性存储器,但由于不依赖电容器,因此泄漏路径较少,在开关晶体管和电容器之间没有连接。其结果是一种有可能大幅提高晶体管密度的单元设计,因为DFM不仅能提供块刷新,而且作为闪存还能提供块擦除,它可以降低刷新周期的频率和开销,与DRAM相比,在速度和功率方面有显著改善。

通过使用TCAD仿真,Unisantis证明了DFM与DRAM相比具有将密度提高4倍的巨大潜力。根据IEEE国际固态电路会议(ISSCC) 最近发表的论文,DRAM的扩展性几乎已经停止在16Gb。4F2单元密度下的DFM模型显示出了DFM的完美结构。DFM的设计和开发意味着显著的Gb/mm2改进,对于DRAM的限制(目前为16Gb),在使用DFM经彻底增强的单元结构之后,可能会立即增加到64Gb内存。

取代DRAM是行业的一项重大挑战,这不仅是因为今天的DRAM占当前存储器市场需求的50%以上(Yole Development, 2020)预测显示,到2025年,这种低成本、高密度的DRAM将继续增长并且市场规模将突破1000亿美元。然而,包括无电容DRAM、ZRAM或简单化的GAA和Nanosheet方法在内的某些替代品方案同样面临着挑战,与DFM相比,它们都有各自的局限性。

DFM的共同发明人、Unisantis公司的Koji Sakui评论道:“存储器行业早已接受了DRAM技术接近其寿命终点的事实,但其巨大的市场意味着任何替代技术都必须在性能、成本和未来可扩展性之间取得适当的平衡。在大量的内部研究和测试之后,我们很高兴向市场推出DFM,使之成为长期可行的DRAM首选替代方案。”

Unisantis Electronics高级副总裁James Ashforth-Pook补充道:“我们很高兴能够展示动态闪存(Dynamic Flash Memory),它与目前的DRAM架构相比具有明显的优势。”

在今天的发布之后,公司目前正在寻求进一步推动自身技术发展,同时通过一系列存储器和代工合作伙伴关系,在外部测试和演示DFM的功能和更充分的潜力。

关于DFM和Unisantis SGT Technology应用的更多详细信息将在未来的活动中公布。

在线图片链接:

如需了解关于Unisantis的更多信息,请访问:www.unisantis.com

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

联系方式:

Unisantis联系人:
高级副总裁,James Ashforth-Pook
jamesap@unisantis.com
+44-7775578880

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