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2024年之前智能手机存储已经就绪

作者: cbinews编辑   责任编辑:张金祥 2021-08-26 14:00:39
来源:电脑商情在线关键字:西部数据

5G网络峰值速率在1Gbit/s左右,为4G网络速度的10倍,1GB的文件,10秒左右就可以下来,可以说,5G网络的高速是非常惊人的。与5G网络适配,对于存储带宽的需求在100MB/s左右。

5G下载并不是带宽要求最高在的应用,相比超高分辨率相机、增强现实/虚拟现实、游戏和8K视频等新兴应用,以8K视频为例,30帧/s 拍摄对数据存储带宽的需求达到1,000MB/s左右,是5G网络的10倍。因此,对于一款智能手机内部数据存储产品而言,1,000MB/s将是一个衡量的门槛,只有达到这样的一个水准,才能够被称为未来就绪的存储产品。

按照判断:1,000MB/s应该能够满足2024年之前,智能手机应用对带宽存储新能的需求。

西部数据公司日前发布了最新的第二代UFS 3.1存储解决方案——西部数

据iNAND MC EU551嵌入式闪存器件就是这样一款产品。

从性能指标上看,西部数据iNAND MC EU551嵌入式闪存器件的顺序读写能力为2,000MB/s;顺序写入峰值带宽为1,550MB/s,远远高于1,000MB/s的门槛。

那么西部数据iNAND MC EU551嵌入式闪存器件在技术上是怎么做到呢?

西部数据公司中国区智能终端产品事业部高级销售总监文芳透露,主要依赖于闪存颗粒、闪存控制器和固件技术的进步。

西部数据公司中国区智能终端产品事业部高级销售总监文芳女士

西部数据公司产品市场部高级产品市场经理宋学红先生

以西部数据iNAND MC EU551嵌入式闪存器件所使用的第六代162层3D闪存颗粒为例,它是西部数据与铠侠10年联合研发闪存颗粒的第15代产品,它没有按照传统八层交错式存储孔阵列设计,而是通过第六代创新架构将横向单元阵列密度提高了约10%,结合162层堆叠式垂直设计,使每个晶圆的制造位增加了70%;通过阵列CMOS电路布局和四路同时操作,性能可提高近2.4倍,读取延迟减少约10%,I/O性能也提高了约66%。

有了第六代162层3D闪存颗粒的基础,配合西部数据独立研发的控制器技术和固件设计,在满足JEDEC UFS 3.1规范要求的基础上,借助西部数据第七代Smart SLC Write Booster 技术,西部数据iNAND MC EU551嵌入式闪存器件进一步融合JEDEC标准规范,实现了前所未有的竞争力。

文芳表示:西部数据iNAND MC EU551嵌入式闪存器件是iNAND系列产品的新成员,十多年来,该系列产品一直深受全球主要智能手机制造商的信任。西部数据持续深耕移动生态系统领域,与领先的SoC系统设计人员合作,在智能手机的参考设计中验证其UFS 3.1解决方案,从而为制造商提供经过测试的解决方案。西部数据iNAND MC EU551 UFS 3.1嵌入式闪存器件样品现已开始供货。容量版本有128GB、256GB和512GB三种类型。

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