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Transphorm的SuperGaN第四代多千瓦级功率FET获得汽车级认证

作者: CN-INFO   责任编辑:文传商讯 2021-11-12 13:23:00
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该器件瞄准数十亿美元的市场,在高电压、高功率GaN领域处于领先地位

加州戈利塔--()--(美国商业资讯)--高可靠性、高性能的氮化镓(GaN)电源转换产品的先驱和全球供应商Transphorm Inc. (OTCQX: TGAN)今日宣布,其旗舰产品SuperGaN®第四代35毫欧姆器件已成功完成汽车电子委员会发布的汽车级半导体分立器件AEC-Q101标准的应力测试。这一成就标志着公司拥有了第三个获得汽车级认证的产品线。

与其第三代前代产品一样,第四代TP65H035G4WSQA器件经认证的结温达到175°C,比碳化硅MOSFET的标准高出25°C,并且是任何其他GaN解决方案尚未达到的额定温度,其中某些解决方案仅达到125°C的标准。

OMDIA高级首席分析师Richard Eden表示:“随着每一代GaN平台的推出,Transphorm不断提高器件性能、功率密度和可制造性,同时使器件价格更接近硅器件。汽车市场对GaN技术所展现的优势的兴趣渐浓,而Transphorm拥有已获得AEC Q101认证的强大GaN产品组合,可以促进该技术的普及。Omdia相信,在规模达数十亿美元的汽车市场中,及早采用GaN晶体管可能让公司在2025年突破1亿美元大关。”

高电压GaN解决方案可有效解决多种电动汽车(EV)问题。例如,从电动车电池向传动系统转换功率时,GaN可提供更高的转换效率,能够在相同的续航里程内使用更小的电池,或者在更长的续航里程内使用相同规格的电池,从而缓解续航里程焦虑。

此外, GaN FET的操作频率较高,可增加功率密度,缩减系统的尺寸和重量。这些优势有利于车载充电器(OBC)、直流-直流(DC-DC)转换器和主牵引逆变器,同时也有助于增加电池续航能力,并加快充电速度。这三个突出的关键系统使电池电动汽车(BEV)不仅能够行驶,而且运转良好,而GaN在每个系统中都发挥了作用。

TP65H035G4WSQA器件特性

经AEC-Q101认证的TP65H035G4WSQA FET提供35 mΩ业界标准的典型导通电阻,并采用热性能卓越的TO-247封装——这种封装配置在任何版本的增强型(e-mode) GaN中均不可用。通过其获得专利的SuperGaN技术,该器件还具备以下特点:

  • 具有更高的品质因数(RON*QOSS)和更平稳、更高的效率曲线,在类似的基于TO-247封装的比较中,与SiC相比,该曲线显示的功率损耗降低了27%至38%。
  • 封装电感更低,软开关效果更佳,有助于降低电磁干扰(EMI)。
  • 抗噪性(阈值电压为4V)更强,消除了由于栅极瞬变导致的零星导通,而其他阈值电压低于2V的GaN技术在更高功率系统中容易受到栅极瞬变的影响。
  • 业界稳健性首屈一指的±20V栅极。

与e-mode等其他GaN器件相比,这些优势可以用极少的外部电路在更大的电流强度下产生噪音更小的开关和更高的性能,从而提高功率密度、可靠性和系统成本。

Marelli是汽车领域全球领先的独立跨国供应商之一,也是Transphorm的战略合作伙伴。该公司首席技术与创新官Joachim Fetzer表示:“我们将GaN功率半导体视为我们汽车电动动力总成解决方案的主要差异化因素。我们与Transphorm合作并向其投资,因为我们注意到Transphorm对质量、可靠性和制造的承诺是当今任何其他GaN供应商所无法比拟的。他们的SuperGaN第四代器件汽车级认证只是另一个证明。对于我们的应用来说,它是一种具有成本效益和高性能的解决方案,使我们不仅在性能和效率上,而且在整体系统优势上获得竞争优势。我们的目标是借助Transphorm以合理的成本为客户提供更可靠的电力。”

供货

Transphorm符合AEC-Q101标准的TP65H035G4WSQA FET将于12月初开始供货。该器件基于其符合JEDEC标准的前代产品TP65H035G4WS构建,目前可通过Digi-KeyMouser购买。

关于Transphorm

Transphorm, Inc.是氮化镓革命的全球领导者,致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体功率器件。Transphorm拥有最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一,持有或取得授权的专利超过1,000多项,在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓半导体器件。得益于垂直整合的业务模式,该公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新:设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新正在使电力电子器件突破硅的局限性,以使效率超过99%、将功率密度提高40%以及将系统成本降低20%。Transphorm的总部位于加州戈利塔,并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。如需了解更多信息,请访问www.transphormusa.com。欢迎在Twitter @transphormusa和在微信@ Transphorm_GaN上关注我们。

SuperGaN商标是Transphorm, Inc的注册商标。所有其他商标均为其各自所有者的财产。

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

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