智能终端>文传商讯

Transphorm公司的TOLL FET将GaN定位为适用于耗电型AI应用的最佳器件

作者:   责任编辑:文传商讯 2023-10-11 11:04:00
来源:文传商讯关键字:null

三种新器件为基于SMD的高功率系统带来了SuperGaN的常关D模式平台优势,该系统要求在紧凑的占地面积内以较低的热阻获得更高的可靠性及性能

加利福尼亚州戈利塔--(美国商业资讯)-- Transphorm, Inc.(Nasdaq:TGAN)是强大的GaN功率半导体(下一代电力系统的未来)领域全球领先的企业。该公司今天推出了三款TOLL封装的SuperGaN®FET,其导通电阻分别为35、50和72毫欧姆。Transphorm的TOLL封装配置符合行业标准,也就是说SuperGaN TOLL FET可以用作任何电子模式TOLL解决方案的开箱即用型替代品。新器件还提供了Transphorm久经验证的高电压动态(开关)导通电阻可靠性,这在基于厂家的主要电子模式GaN产品中通常是缺乏的。要对设备进行采样,请访问Transphorm的产品页面:https://www.transphormusa.com/en/products/

这三种表面安装型器件(surface mount device,SMD)支持在1至3千瓦的平均范围内运行的更高功率应用。这些电力系统通常出现在高性能领域,如计算(人工智能、服务器、电信、数据中心)、能源和工业(光伏逆变器、伺服电机)以及其他各类工业市场,这些市场目前在全球的GaN TAM价值25亿美元。值得注意的是,FET是当今快速扩展的人工智能系统的最佳解决方案,这些系统依赖于需要高出传统CPU十到十五倍功率的GPU。

Transphorm的高功率GaN设备已供应给各个领域的主要客户,这些客户使用这些设备为其生产中的高性能系统供电,其中包括数据中心电源、高功率竞技PSU、UPSe和微转换器。TOLL设备也可以支持这些应用,而基于电动汽车的直流-直流转换器和车载充电器也可以支持,其中基础的SuperGaN芯片已经通过了汽车(AEC-Q101)认证。

SuperGaN TOLL FET是Transphorm提供的第六种封装类型,为客户提供了最广泛的封装选择,以满足其独特的设计要求。与所有Transphorm产品一样,TOLL器件利用了常关d模式SuperGaN平台带来的固有性能和可靠性优势。有关SuperGaN和e模式GaN之间的详细竞争分析,请下载该公司最新的白皮书 《d模式GaN在Cascode配置中的基本优势》。该白皮书的结论与今年早些时候发布的一项正面比较一致。该比较显示,在商用280 W游戏笔记本电脑充电器中,72毫欧姆的SuperGaN FET的性能优于较大的50毫欧姆的电子模式设备。

SuperGaN器件凭借以下优势领先市场:

  • 可靠性 < 0.03 FIT
  • 闸门安全裕度 ± 20 V
  • 抗噪性 4 V
  • 电阻温度系数(TCR)比e模式低20%
  • 采用硅基控制器/驱动器中现成的标准驱动器和保护电路实现驱动器灵活性

设备规格

坚固耐用的650V SuperGaN TOLL器件已通过JEDEC认证。由于常关d模式平台将GaN HEMT与低压硅MOSFET配对,因此SuperGaN FET易于使用常用的现成栅极驱动器进行驱动。它们可以用于各种硬开关和软开关AC到DC、DC到DC和DC到AC拓扑,以提高功率密度,同时降低系统尺寸、重量和总体成本。

零件

尺寸 (mm)

RDS(on) (mΩ) typ

RDS(on) (mΩ) max

Vth (V) typ

Id (25°C) (A) max

TP65H035G4QS

10 x 12

35

41

4

46.5

TP65H050G4QS

10 x 12

50

60

4

34

TP65H070G4QS

10 x 12

72

85

4

29

可用性和支持资源

SuperGaN TOLL器件目前可供采样。要接收产品,请访问https://www.transphormusa.com/en/products/并提交请求。

优化基于TOLL的系统开发的关键应用说明包括:

  • AN0009:推荐用于Transphorm GaN FET的外部电路
  • AN0003:用于GaN功率开关的印刷电路板布局和探测
  • AN0014:用于中低功率GaN FET应用的低成本、高密度高压硅驱动器

关于Transphorm

Transphorm, Inc.是GaN革命的全球领导企业。该公司设计和制造用于高压功率转换应用的高性能、高可靠性GaN半导体。Transphorm具有最大的功率GaN IP组合之一,拥有1000多项公司拥有或获得许可的专利。该公司生产了业界首个符合JEDEC和AEC-Q101要求的高压GaN半导体器件。该公司的垂直集成设备商业模式允许在每个开发阶段进行创新:设计、制造、设备和应用支持等。Transphorm的创新使电力电子产品超越了硅的限制,实现了超过99%的效率、50%以上的功率密度和20%以下的系统成本。Transphorm总部位于加利福尼亚州戈利塔,并在戈利塔和日本艾祖设有制造业务。若要了解更多信息,请访问www.transphormusa.com。在推特@transphormasa和微信@Transphorm_GaN上关注我们。

SuperGaN商标是Transphorm, Inc.的注册商标。所有其他商标均为其各自所有者的财产。

免责声明:本公告之原文版本乃官方授权版本。译文仅供方便了解之用,烦请参照原文,原文版本乃唯一具法律效力之版本。

在 businesswire.com 上查看源版本新闻稿: https://www.businesswire.com/news/home/20231010259991/zh-CN/

CONTACT:

新闻联系人:
Heather Ailara
+1.973.567.6040
heather.ailara@transphormusa.com

投资者联系人:
David Hanover或Jack Perkins
KCSA Strategic Communications
transphorm@kcsa.com

意见反馈:zhanheng@cbigroup.com

稿件投诉:zhanglin@cbigroup.com

内容合作QQ:2291221

商务合作:13391790444 詹老师

京ICP备:2022009079号-3

京公网安备:11010502051900号

ICP证:京B2-20230255

关注我们