欢迎访问电脑商情在线! 请免费注册
分享到





位置:首页 > 存储 > 存储资讯

VLT将引发DRAM产业技术变革,Kilopass寻找全球“玩家”

作者: 王晓强   责任编辑:王晓强 2016-10-14 15:19:33
来源:电脑商情网关键字:VLT,DRAM,Kilopass,合作伙伴,存储

10月12日,总部位于美国硅谷的Kilopass公司在北京举办了它在中国市场的首场发布会,公司首席执行官Charlie Cheng向与会媒体推出了创新并带有颠覆意义的垂直分层晶闸管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技术。

晶闸管是构成DRAM的重要组成元件,作为该技术的最大亮点,是其能显著降低DRAM成本,且与DDR SDRAM完全兼容;另外,它采用标准CMOS工艺制造,且不再需要昂贵的电容结构。

VLT将引发DRAM产业技术变革

垂直分层晶闸管技术VLT的推出,有望为当前的DRAM产业带来颠覆性的技术变革。据悉,VLT存储单元早在2015年已通过验证,目前一款新的完整存储器测试芯片正处于早期测试阶段。

作为半导体嵌入式非易失性存储器(eNVM)知识产权(IP)产品领先提供商,Kilopass一直致力于在全球推广这项技术,并正寻求与包括中国在内的DRAM制造商进行许可协商。

Kilopass拥有专利的技术暨一次性可编程(OTP)NVM解决方案,拥有可扩展到各种先进CMOS工艺制程的无限容量,它们可被移植到每一家重要的代工厂和整合器件制造商(IDM),且满足了市场对更高的集成度、更高的密度、更低的成本、低功耗管理、更高的可靠性和更完善的安全性等方面的需求。

Kilopass得到了当今许多知名品牌的信赖,其技术已被超过170家企业客户所采用,至今已累计售出100亿块包含Kilopass技术的芯片,涉及400多种芯片设计,应用范围涵盖了工业、汽车、消费电子产品、移动设备、模拟和混合信号以及物联网(IoT)等。

VLT技术是如何实现的?

对于DRAM厂商来说,如何在提高存储器性能的同时降低功耗,是一个难以破解的问题。当前普遍采用的1T1C技术面临着物理学原理上的严峻挑战,而突破这种困境就需要一种全新的DRAM技术和架构。Kilopass的VLT技术则为该问题提供了一种切实可行的解决方案。

提到VIT技术,就不得不说道晶闸管。晶闸管是一种结构复杂的电子器件,在电学上等效于一对交叉耦合的双极型晶体管。由于锁存的形成,这种结构非常适合存储器;与当前基于电容的DRAM相比,晶闸管内存不需要刷新。晶闸管于20世纪50年代被发明,之前人们曾屡次尝试将其应用于SRAM市场,但都未能成功。

Kilopass的VLT技术通过垂直方式实现晶闸管架构,从而使存储单元更加紧凑。紧凑的结构加上所需的物理器件,构造出制造工艺简单的交叉点内存,这将带来一项与DDR标准兼容,并且比当前顶尖的20纳米DRAM制造成本低45%的新技术。

此外,由于VLT不需要复杂且高功耗的刷新周期,基于VLT的DDR4 DRAM将待机功耗降低了10倍,可降低到50fA/bit以下,且仍将性能提高15%。最为关键的是,VLT避开了传统DRAM制造中最大的挑战,即沟电容的制造,从而规避了相关的专利冲突,这一点具有很重要的战略意义。

据悉,VLT存储单元的运行和器件测试已于2015年完成,测试结果与器件仿真系统TCAD具有优异的关联性。一块完整的内存测试芯片已于5月份成功流片,早期芯片测试正在进行当中。

寻找全球市场玩家

巨大的全球DDR(SDRAM)存储器市场在总产值为3500亿美元的全球半导体市场中占据了超过500亿美元的份额,使其成为政府为促进国内半导体产业发展而推出的推动措施中,最重要的产品类别之一。

在2015年发布的一项报告中,IC Insights预测从2014年到2019年间的DRAM市场复合年均增长率(CAGR)为9%,该数据表明DRAM市场的增长速度快于整个芯片市场的增长。

就中国而言,国务院于2014年6月颁布了《国家集成电路产业发展推进纲要》,要实现其中集成电路行业产值从2015年3500亿人民币以年均20%的增速达到2020年约8700亿人民币这一目标,DRAM产业的增长显得至关重要。

然而,DRAM市场已经十分成熟,且由三星(Samsung)、海力士(SK Hynix)和美光(Micron)三家企业共同占有超过90%的市场份额。现有DRAM的最关键技术是电容存储单元,它不仅带来了特有的制造挑战,还被大量专利所保护。为了进入DRAM市场,后发的中国厂商必须利用创新的替代方案,以推动竞争升级,争取实现差异化。VLT技术则代表了这样的一种可能性。

“Kilopass以一次性可编程(OTP)存储器技术的领导者而闻名,我很高兴我们能够为DRAM市场带来新的革新,”Kilopass首席执行官Charlie Cheng说。“我们的VLT技术是一项真正具有颠覆性的技术,运用它我们的被授权商能够迅速高效地为市场提供与JEDEC标准完全兼容的DRAM产品,这些产品在功耗和成本上将具有显著优势,同时也免去了现有DRAM制造流程中构建电容的困扰。”

Charlie Cheng表示将向包括中国市场在内的全球市场中的约三位特许受让人提供VLT DRAM技术,用于20nm到31nm工艺技术节点。Kilopass已使用其突破性的TCAD模拟器,在所有的半导体制造工艺细节上对这两个节点进行了详尽的模拟,新一代10nm技术的验证有望在2017年完成。

网友评论(0) 评论仅代表网友个人观点,不代表CBINews观点。
CBINews网友您好,欢迎发表评论:(注册 后发表评论,可就本文发起辩论,将会获得更多关注)
 CBINews网友  注册邮箱:  

CBI 友情链接:

腾讯科技 |  凤凰科技 |  商业伙伴 |  移动信息化 |  企业网 |  中国软件网 |  CIO时代网 |  更多>>

CBI集团其它网站:

电脑商情在线 | 存储伙伴 | 服务器伙伴 | 中小企业IT网

CBI 地方分站:

上海 |  广州 |  成都 |  西安 |  沈阳 |  武汉 |  南京 |  重庆 |  长沙 |  济南 |  太原 |  合肥 |  长春  |  杭州 |  昆明 |  南宁 |  哈尔滨 |  兰州 |  乌鲁木齐 |  福州 |  郑州 |  贵州

整合营销 |  CBINews刊例 |  《电脑商情报》刊例 |  联系方式 |  版权声明 |  友情链接

内容版权所有:电脑商情在线 北京米迪亚广告有限公司

地址:北京市海淀区中关村南大街28号6层 联系电话:(010)62178877-218

商务、内容合作QQ:15528356 客服电话:800-886-4689

电脑商情信息服务集团 成都华好网景科技有限公司

ICP证:川B2-20070068-5 川预审H8VZ-RBP6-X228-T60Z号 北京市公安局海淀分局备案编号:1101083710