阿斯麦宣布新一代EUV合作，半导体制程竞赛提速

9月8日，光刻机巨头阿斯麦宣布，将联合台积电、三星电子、英特尔共同推进High NA EUV下一代高数值孔径极紫外光刻技术落地，服务英伟达等企业的大型数据中心芯片研发。

本次合作的核心目标是推进12英寸光掩模技术，以替代沿用多年的6英寸光掩模格式。

根据时间规划：台积电自2030年将阿斯麦High NA用于先进制程量产；三星电子计划2028年前把High NA应用在DRAM量产。

目前英特尔已完成超100万片High NA EUV相关技术的晶圆处理。

为承接 AI 浪潮带来的设备需求，阿斯麦还在荷兰启动第二座产业园区建设，园区规模约等于50个足球场，最多容纳2万名员工，一期工程预计将于2029年完工。

阿斯麦规划在2031年前建成大掩模试点产线，预计2033年实现新技术量产，技术落地后设备产能有望提升40%。