英特尔开始使用ASML高NA EUV技术量产芯片

英特尔已开始使用ASML最新一代光刻设备生产处理器。

ASML披露了这一里程碑，消息与其季度财报同步发布——财报全面超出预期。

光刻机利用光在硅晶圆上刻蚀晶体管，ASML是全球最大的此类设备供应商。该公司今日表示，英特尔已开始使用其最新一代TwinScan EXE系列光刻机制造芯片。

光刻机的能力受其所谓数值孔径（NA）影响。NA是用来描述系统生成光束角度的数值——NA值越大，能制造的晶体管越小，而更小的晶体管意味着更快、更节能的芯片。

ASML的EXE设备NA值比前代产品高出51%。这一高NA EUV架构使其能够以8纳米分辨率在硅上刻蚀图案。在EXE系列发布之前，晶圆厂只能制造13纳米图案。

英特尔两年前在其俄勒冈州希尔斯伯勒工厂安装了EXE:5000系统，随后又部署了一台能力更强的EXE:5200B设备。后者于去年12月完成验收测试。

EXE:5000和EXE:5200B都通过气化微小的锡滴来产生激光。不过，EXE:5200B凭借一套升级的光学组件，在这项任务上效率更高，因此能够每小时处理更多晶圆，并提供更高的刻蚀精度。

现代处理器由数十层组成，这些层使用不同的光刻机制造。据ASML介绍，英特尔正在使用EXE系列生产其最新Intel 18A工艺中的部分层。两家公司未透露更多细节。通常，晶圆厂会使用高端光刻机制造最复杂的层，其余部分则使用较先进的设备完成。

英特尔正在使用EXE驱动的生产线量产部分Intel Core Ultra Series 3笔记本电脑处理器。该系列中最先进的芯片配备12核CPU，同时搭载12核GPU和AI加速器。

英特尔代工业务执行副总裁兼总经理Naga Chandrasekaran表示："通过在选定的Intel 18A产品层上验证高NA EUV工艺选项，我们现有的设备组合为客户提供了更高的产量，同时我们正在开发未来选项，以在即将到来的节点上实现领先的性能、密度和制造灵活性。"

ASML在发布第二季度业绩的同时宣布了这一里程碑。截至6月28日的三个月内，公司实现营收93亿欧元，远超分析师预期的88亿欧元。29亿欧元的净利润同样超出市场共识预期。

公司预计下半年对其设备的需求将持续强劲。ASML将全年营收指引上调至430亿至450亿欧元，区间上限提高了50亿欧元。此外，公司宣布未来两年将在部分产线上将制造产能每年提升30%。