三星Hynix共同研发新一代半导体芯片 将在8月着手实施
作者: 杨卓
责任编辑: 阚智
来源: 《电脑商情报》
时间: 2008-06-26 11:00
6月26日消息,世界顶级芯片制造商三星电子与Hynix本周三宣布,将联手发展下一代半导体芯片。
三星与Hynix表示,双方将合作进行旋转力矩转移-磁性随机存储器(STT-MRAM)芯片的研发工作,并将致力于使其成为下一代450毫米晶圆的行业标准。研发工作将于8月份开始着手实施。
三星与Hynix预计,全球新一代芯片市场将在2012年左右趋于成熟。
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三星与Hynix表示,双方将合作进行旋转力矩转移-磁性随机存储器(STT-MRAM)芯片的研发工作,并将致力于使其成为下一代450毫米晶圆的行业标准。研发工作将于8月份开始着手实施。
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