创维斥资9亿元在深圳建半导体中心 将建立芯片公共技术平台

　　8月24日消息，今日上午，创维半导体设计中心在深圳科技园举行开工仪式。该项目预计投资9亿元，涉及IC设计与验证，将建立芯片公共技术平台，LED技术应用与研发等领域。该项目标志创维进入半导体领域。

　　创维半导体设计中心位于深圳高新南区高新南四道与科技南十路交接西北角，占地17025.5平方米，建筑面积851128平米，项目总投资91076万元。设计内容涵盖：视频芯片的设计与验证、多媒体芯片的设计与验证、TV控制主芯片的设计与验证、T-com时序控制芯片的设计与验证、伴音功率放大器芯片的射界与验证、视频处理芯片中集成DDR/SDRAM IP 的设计与验证、LED光源新型材料的研究、LED外延片工艺技术研究、LED外延片专用生产设备国产化开发的研究、LED外延片设备国产化开发的研究、LED芯片设计、LED背光模组的设计及中试、OLED显示技术等。

　　创维集团总裁张学斌表示，进军半导体将为创维下一步涉足芯片设计奠定基础，在未来彩电业的竞争中，只有具备芯片设计的企业才能有所发展。