IBM与TDK合作研发大容量高密度MRAM芯片

本周一，IBM和TDK联合宣布，两家公司将合作开发大容量、高密度的MRAM（磁阻式随机存取存储器）芯片。

   MRAM是一种非挥发性的磁性随机存储器，关掉电源后，仍可以保持记忆完整，功能与闪存雷同，而写入速度比闪存快。目前市场上的MRAM芯片容量仅有几兆字节，只能满足嵌入式控制系统的要求，对于个人电脑大容量的需求还远远无法达到。

   IBM和TDK此次将携手研究如何应用自旋动量转移来生产体积更小的数据存储单元，希望以此技术来扩大MRAM芯片的容量，使其可以广泛地应用于手持设备中。