台机电两年内将接收60台EUV

根据台积电（TSMC）的既定规划，其将在2nm制程节点率先采用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶体管技术，同时制造流程仍将持续依赖先进的极紫外（EUV）光刻技术。有分析指出，台积电正加快部署对于其先进工艺至关重要的EUV光刻设备，以满足2nm工艺的量产需求。预计今年及明年，台积电将接收超过60台EUV光刻机，累计投入资金超过4000亿新台币（折合约为123亿美元或人民币894亿元）。