3D NAND加速推动，英特尔数据战略再进阶

位于大连市金普新区的英特尔工厂，2007年奠基，2010正式投产。2015年10月，英特尔又投入55亿美元在这个工厂，随即转产为非易失性存储技术制造基地。

英特尔在华发布采用3D NAND技术的全新数据中心级固态盘

5月10日，英特尔在其大连工厂发布了两款全新的采用3D NAND的数据中心级固态盘：英特尔固态盘DC P4500系列及英特尔固态盘DC P4600系列。

英特尔3D、NVMe固态硬盘看点

作为英特尔首款使用3D NAND技术的固态盘，英特尔固态盘DC P3320系列相比上一代英特尔固态盘，在性价比上实现了进一步的提升。英特尔还同时推出了首款采用NVM Express（NVMe）标准的双端口PCI Express（PCIe）固态盘DC D3700/D3600 系列。此外，英特尔也扩展了其固态盘产品组合，新增了面向入门级云和数据中心部署、消费级应用、企业 PC ，以及物联网（IoT）应用的产品。

英特尔3D、NVMe固态硬盘看点

作为英特尔首款使用3D NAND技术的固态盘，英特尔固态盘DC P3320系列相比上一代英特尔固态盘，在性价比上实现了进一步的提升。英特尔还同时推出了首款采用NVM Express（NVMe）标准的双端口PCI Express（PCIe）固态盘DC D3700/D3600 系列。此外，英特尔也扩展了其固态盘产品组合，新增了面向入门级云和数据中心部署、消费级应用、企业 PC ，以及物联网（IoT）应用的产品。

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