3D XPoint内存为英特尔开启了一道摆脱NAND业务迈向高利润非易失性存储产品的大门，事实上芯片巨头投入高昂成本建立的闪存代工设施并未带来理想的回报。
2015年最受关注的几个企业级市场关键词中，闪存毫无疑问排名第一。我们认为，在2016年，闪存仍将持续在这个市场上火热。不过值得警惕的是，随着3D XPoint的上市临近，或许会冲击传统的闪存市场。
根据Packet Pushers网站的网络行家Greg Ferro所言，英特尔公司之所以着手构建NVMe方案，是为了将其与3D XPoint内存加以结合--而这种观点也完全颠覆了我原本所抱有的、单纯将NVMe作为标准PCIe闪存卡驱动器设计方向的思路，更彻底改变了英特尔在XPoint开发工作当中所扮演的角色定位。
互联网+时代，企业需要的是高性能、高耐用性、低成本固态盘解决方案。2015年，英特尔相继宣布携手镁光研发推出了高密度闪存3D NAND技术以及内存技术3D Xpoint。
Objective Analysis公司半导体市场研究员Jim Handy日前公布了一份长达80页的报告，其中详尽阐述了XPoint内存的概念、使用方式以及发展前景。
今早(7月29日)8点，英特尔和美光共同发布了一项全新的存储技术3D Xpoint(发音为“cross point”)，号称是25年以来(上一次是1989年的NAND Flash存储技术)，全球存储技术的第一次革命性突破。
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